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onsemi FGP10N60UNDF
| Artikelnummer: | FGP10N60UNDF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT NPT 600V 20A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $1.74 |
| 100+ | $1.3983 |
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onsemi FGP10N60UNDF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FGP10N60UNDF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 10A Testbedingung 400V, 10A, 10Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 8ns/52.2ns Schaltenergie 150µJ (on), 50µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 37.7 ns Leistung - max 139 W Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabetyp Standard IGBT-Typ NPT Gate-Ladung 37 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 30 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 A Grundproduktnummer FGP10N60 FGP10N60UNDF Einzelheiten PDF [English] FGP10N60UNDF PDF - EN.pdf -
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